Effects in electron bombardment of lithium fluoride single crystals at high temperatures, I; The Depth distribution of F center density, II; The Formation of colloidal centers

久保 和子

JAERI-M 5800, 14 Pages, 1974/07

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I 電子照射したLiF中の(F吸収vs照射表面からの深さ)を測定した。このF中心密度の深さ分布は結晶中の電子の多重散乱により特徴ずけられ、Spencer理論で計算される電子エネルギー損失の深さ分布と初期においては良く一致する。照射量の増加に伴ないF中心密度の飽和のために理論的エネルギー損失曲線から離れ、電子飛程より奥に附加的な肩が現われる。これは電子がLiFを透通する際に放射する二次光子によるF中心形成の為と考えられる。II 高純度LiFの高温電子線照射による光吸収は中性子照射によるものとS帯を除き全く同じで、LiFにおける中性子効果が局所的(イオン化+高温)であることを示す。700Cまでの熱処理によって調べた結果、コロイド的中心の固定として、500nm帯は複合色中心、430と480nm帯は金属LiによるMie光散乱、270と370nm帯は金属Li中のプラズマ電子振動、500C以上の300nm帯はLi拡散後の擬金属Li領域による光散乱によるとすれば、相互予循なく理解される。